受付日JASRI No.課題番号会社名筆頭者氏名発表先題目
131 05/073746 C01B16B2-3000-N住友電工飯原順次企業研究会 CAMMフォーラムSPring-8を利用しての研究成果
132 07/294956 C02A16B2-4010-N, C02B16B2-4017-N三菱電機上原 康信学技報 SDM2003-71(2003-06)HfSiOx薄膜のXAFSによる局所構造解析
133 08/065070 C01B16XU-3004-N関西電力(株)/(株)原子力安全システム研究所寺地 巧J. Nucl. Sci. Technol., 40(2003) pp.509Influence of Dissolved Hydrogen on Structure of Oxide Film on Alloy 600 Formed in Primary Water of Pressurized Water Reactors
134 10/025293 C03A16XU-3015-N大阪大学/関西電力(株)中野貴由Boundary Vol.19, No.9 (2003)16-20生体硬組織への結晶学的アプローチ
135 10/025294 C02A16B2-4008-N関西電力(株)出口博史第6回XAFS討論会セリア系固体電解質材料のXAFS解析
136 10/095148 C03A16XU-3009-N富士電機田沼良平第64回応用物理学会学術講演会フレネルゾーンプレート拡大結像法による高空間分解能X線回折
137 10/215319 C03A16B2-4002-N鞄月ナ竹村モモ子第39回X線分析討論会 2003.09.16-淡路夢舞台国際会議場ハフニウムシリケート薄膜のEXAFS解析
138 10/215337 C03A16XU-3003N鞄月ナ山崎英之日本分析化学会代52年会 2003.09.23-宮城教育大学SPring-8利用Hfシリケート膜のX線反射率解析
139 12/025373 C01B16B2- 4018-N三菱電機河瀬和雅信学技報 (Technical report of IEICE. SDM2003-166) vol.(2003) 29酸素ラジカル処理したCVDシリコン酸化膜の高輝度放射光利用X線反射率測定
140 03/225709 C02B16XU-4008-N富士通研淡路 直樹講演会名:SPring-8産業利用者交流会(開催日2003.5.12-都市名兵庫県)「蛍光X線、X線反射、回折、散乱」
141 03/225710 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹誌名:SPring-8 Research Frontiers (Vol.2001B/2002ANo.-2003年-P.92-93)Performance of X-ray reflectometry for 1-nm thick gate oxide
142 03/225711 C02B16XU-4008-N富士通研淡路 直樹"講演会名:応用物理学会関係連合講演会(開催日2003.9.1-都市名福岡) "X線CTR散乱による極薄ゲート絶縁膜の界面評価技術
143 03/225712 C02B16XU-4008-N富士通研土井 修一"講演会名:第3回サンビーム研究発表会(開催日2003.9.5-都市名兵庫) "X線CTR散乱による極薄ゲート酸化膜界面の構造評価
144 03/225713 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹"The 10th International Conference on Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis(開催日2003.9.5-都市名兵庫,淡路) "TXRF of trace impurities on semiconductor wafers using 3rd generation synchrotron radiation
145 03/225714 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹"The 10th International Conference on Total Reflection X-Ray Fluorescence Analysis(開催日2003.9.5-都市名兵庫,淡路) "WD-GIXRF of multilayer thin films
146 03/225715 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹"講演会名:平成15年度 第4回ナノテク支援ワークショップ(開催日2003.09.30-都市名兵庫SP-8) "斜入射X線励起蛍光法によるナノ多層薄膜の深さ方向プロファイリング
147 03/225716 C02B16XU-4008-N富士通研淡路 直樹誌名:電子情報通信学会誌CMOSゲート界面の原子1層のひずみを世界で初めて測定
148 03/225717 C02B16XU-4008-N富士通研淡路 直樹"講演会名:第2回名古屋表面科学シンポジウム(開催日2004.1.24-都市名名古屋市) "表面・界面評価法の電子デバイスへの応用例
149 03/225718 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹講演会名:放射光イノベーションセミナー (開催日2004.2.6-都市名神戸市)極微量、極薄膜、極界面が見える放射光 −電子デバイス材料の分析
150 03/225719 C02A16XU-3009-N富士通研淡路 直樹講演会名:SPring-8ワークショップ 「放射光によるLSI新材料評価技術」(開催日2004.2.13-都市名兵庫SPring-8)X線反射、CTR散乱によるゲート絶縁膜の膜・界面構造の評価
151 03/265729 C02A16XU-3000-N富士電機田沼良平17th International Congress on X-ray Optics and MicroanalysisSubmicron-Resolved X-ray Topography using Asymmetric-Reflection Magnifier
152 03/265705 C03A16XU-3000-N富士電機大沢通夫第17回放射光学会年会磁気ディスク(HD)用記録媒体の微小角入射X線回折
153 03/225720 C01A16XU-3021-N豊田中研斎藤卓Science, vol.300 (2003) 377-532Multifunctional Alloys Obtained via a Dislocation-Free Plastic Deformation Mechanism
154 03/225724 C01B16XU-3012-N豊田中研野中敬正International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS12)XAFS Study on Cathode Materials for Li-ion Batteries using X-ray Microbeam
155 03/225721 C00B16B2-4013-N豊田中研野中敬正放射光, vol.17(2004) 17-22リチウムイオン電池正極材料のin situ XAFS解析
156 03/225690 C02B16B2-4010-N豊田中研堂前和彦"4th International Symposium on Atomic Level Characterizations for New Materials and Devices "An investigation of Rh on Alumina after Treatments in High-Temperature Oxidizing/Reducing Conditions
157 03/225725 C01A16B2-4020-N豊田中研長井康貴International Conference on X-ray Absorption Fine Structure (XAFS12)Study on the thermal degradation of CeO2-ZrO2 solid solution
158 03/225726 C01A16B2-4020-N豊田中研長井康貴第92回触媒討論会XAFSおよびXRDによるCeO2-ZrO2固溶体の熱劣化挙動の解析