受付日	JASRI No.	課題番号	会社名	筆頭者氏名	発表先	題目
308	04/09	10865	C06A16XU-5100	富士通研	淡路　直樹	機能材料（雑誌）	Ｘ線回折・散乱・蛍光による電子材料ナノ薄膜の構造評価 X-ray diffraction, Scattering, and Fluorescence Study for the Nano-level Thin Films used in the Electric Devices
309	04/09	10866	C05B16B2-5400	富士通研	淡路　直樹	ふぇらむ（雑誌）	放射光を用いたクロメート皮膜中６価クロムの非破壊分析Nondestructive Measurement of Hexavalent Chromium in Chromate Conversion Coatings using Synchrotron Radiation
310	08/22	11341	C03B16XU-3002-P	住友電工	福井治世	砥粒加工学会誌	iAlN膜の残留応力深さ分布が切削性能に及ぼす影響
311	08/22	11342	C05A16B2-4030-N	東京農工大/住友電工	Y.Kumagai/J.Iihara	J.Cryst.Grouw. 296(2006)11-14	Fe-doped semi-insulating GaN substrates prepared by hydride vapor^phase epitaxy using GaAs starting substrates
312	08/22	11343	C05A16B2-4030-N	東京農工大/住友電工	R.Togashi/J.Iihara	Phys.stat.sol.(b) 244(6),1862-186(2007)	First-principles calculation and X-ray absorption fine structure analysis of Fe doping mechanism for semi-insulating GaN growth on GaAs substrates
313	08/22	11344	C04A16XU-3030-N, C04B16XU-3031-N, C05A16XU-3031-N	住友電工	小林慎一	FSST NEWS, 144(2007)15-18	DI-BSCCOの開発-臨界電流特性の観点から-