受付日	JASRI No.	課題番号	会社名	担当者氏名	発表先	題目
1	2001/7/18	488	C01A16B2-4006-N	電力中研	山本 融	日経産業新聞　2001/7/18	次世代燃料電池の電極材料　原子レベルでの観察
2	2001/8/8		C01A16XU-3000-N	富士電機総研	大沢 通夫	日経産業新聞　2001/8/6	X線解析でHD大容量化
3	2002/2/26	1875	2001A0342-NS-np	富士通研	淡路 直樹	日経産業新聞　2001/9/11	原子４個でも検出
4	2002/2/26	1876	2001A0342-NS-np	富士通研	淡路 直樹	電波新聞　2001/9/12	半導体ウエハの微量元素を世界最高感度で検出
5	2002/2/26	1877	2001A0342-NS-np	富士通研	淡路 直樹	日本工業新聞　2001/9/12	微量元素の検出感度100倍
6	2002/2/26	1878	2001A0342-NS-np	富士通研	淡路 直樹	化学工業日報　2001/9/12	検出感度100倍に向上
7	2002/2/26	1879	2001A0342-NS-np	富士通研	淡路 直樹	科学新聞　2001/9/28	半導体ウエハの微量元素　4社共同　世界最高感度で検出に成功
8	2003/2/20	5138	C02A16XU-3009-N	富士通研	淡路 直樹	日刊工業新聞　2002/09/10	MOS素子のゲート酸化膜　最高分解能で構造評価
9	2003/2/20	5139	C02A16XU-3009-N	富士通研	淡路 直樹	電波新聞　2002/09/16	1nm以下のゲート酸化膜　SPring-8放射光を使い評価
10	2003/2/20	5310	C02A16XU-3009-N	富士通研	淡路 直樹	化学工業日報　2002/09/17	ゲート酸化膜　1nm以下まで評価
11	2003/9/3	5138	C03A16XU-3004-N	富士通研	淡路 直樹	日刊工業新聞　2003/8/27	界面原子１層の歪み計測　−SPring-8の高輝度X線活用、精度0.0005nm
12	2003/9/3	5139	C03A16XU-3004-N	富士通研	淡路 直樹	電波新聞 2003/9/2	シリコンゲート界面の表面原子の歪みを精度0.005Åで測定可能な新技術を開発
13	2003/10/9	5147	C03A16XU-3009-N	富士電機	田沼 良平	日刊工業新聞　2003/8/29	結晶歪み検出感度10倍/富士電機　回折Ｘ線拡大/パワー半導体に応用
14	2003/10/9	5310	C03A16XU-3004-N	富士通研	淡路 直樹	化学工業日報　2003/9/16	シリコン原子位置変位、微細測定技術を開発　−富士通　半導体工程最適化へ
15	2005/4/13	10067	なし	住友電工	飯原 順次	Sumitomo Quarterly	SPring-8: The Dream Light that illuminates the World of the Nano-Realm
16	2005/9/26	8318	C05A16B2-4100-N	富士通研究所	淡路 直樹	日経産業新聞 2005/9/26	富士通研　Ｘ線利用の新技術 六価クロム含有量 100ＰＰＭ単位で検出可能
21	2006/11/10	10137	C04A16XU-3100-N	富士通研	淡路 直樹	日刊工業新聞　2004/9/27	SPring-8放射光によりナノ粒子材料の粒径分析に成功
22	2006/11/10	10138	C04A16XU-3101-N	富士通研	淡路 直樹	電波新聞 2004/10/2	SPring-8放射光によりナノ粒子材料の粒径分析に成功
23	2006/11/22		なし	神戸製鋼	中山 武典	日本経済新聞 2003/4/10	SPring-8利用企業相次ぎ成果　神鋼はさびの放射光観察を応用してさび進行抑制鋼板を開発
24	2007/6/8			日立製作所	上田 和浩	日経産業新聞 2007/6/8	浸水環境下で使用される電力ケーブルに発生する絶縁不良部分の元素分布を可視化することに成功