「第3回サンビーム研究発表会」 プログラム
日時 ： 2003年9月5日（金） 10:10 〜 17:00
場所 ： SPring−8放射光普及棟 大講堂 （正門守衛所隣）
主催 ： 産業用専用ビームライン建設利用共同体
後援 ： SPring-8利用推進協議会
協賛 ： （財）高輝度光科学研究センター
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総合司会： 上原 康 （三菱電機（株））
開会の辞 産業用専用BL共同体 運営委員長 中村史郎 （三菱電機（株） 先端技術総合研究所 環境・材料技術部門統括）
ご挨拶 （財）高輝度光科学研究センター 放射光研究所 吉良 爽 所長
＜研究発表： 素材・エネルギー・環境分野への応用＞
1. 神戸製鋼所における最近のSR応用研究 （株）神戸製鋼所 （（株）コベルコ科研）
渡部 孝
2. 新しいベータ型チタン合金の無転位変形機構に関する解析 （株）豊田中央研究所
分析・計測部 妹尾与志木
3. セリア系固体電解質材料のXAFS解析
関西電力（株）
研究開発室 出口博史
4. EXAFSによるPt触媒の局所構造及び電子状態
日本電気（株） 基礎研究所 小林憲司
5. 光ファイバ中Geの局所構造評価 住友電気工業(株) 解析技術研究センター 飯原順次
− 昼休み （12：00 〜 13：00）−
＜特別講演＞ 「Visualizing
Single Domains and Domain Walls with X-rays」
Eric
D. Isaacs, Director, Semiconductor Physics Research,
＜研究発表： エレクトロニクス分野への応用（その1）＞
6. XAFS及びX線回折法によるInN系半導体の構造解析 ソニー（株） マイクロシステムズネットワークカンパニー 宮嶋孝夫
7. Ｘ線異常分散を用いたCu/NiFe積層薄膜の回折ピークの分離法
（株）日立製作所 日立研究所 上田和浩
8.HDD用水平および垂直磁気記録媒体の微小角入射Ｘ線回折 （株）富士電機総合研究所 材料技術研究所 大沢通夫
9. ポリシリコン薄膜の結晶構造解析
三洋電機（株） 技術開発本部 西野潤一
− 休憩 −
＜研究発表： エレクトロニクス分野への応用（その2）＞
10. 4H-SiC エピタキシャル膜のシンクロトロンX線トポグラフィー測定 （財）電力中央研究所 横須賀研究所 鎌田功穂
11. X線CTR散乱による極薄ゲート酸化膜界面の構造評価
（株）富士通研究所 材料・環境技術研究所 土井修一
12. 波長分散蛍光X線分析法によるSiO2/Siの化学結合状態分析
（株）松下テクノリサーチ 尾崎伸司
13. Ｘ線反射率によるシリコン酸化膜の密度および表面ラフネスの酸化方法依存性評価
三菱電機（株） 先端技術総合研究所 河瀬和雅
14. 熱CVD法により形成したハフニウムシリケート薄膜のX線反射率解析 （株）東芝 研究開発センター 山崎英之
閉会の辞 産業用専用BL共同体 副運営委員長 大戸 登喜雄 （（株）富士電機総合研究所 材料技術研究所 所長）
注記： サンビームは，大型放射光施設「SPring-8」のビームライン”BL16XU” と “BL16B2” を指します。
産業用専用ビームライン建設利用共同体は，上記13社・1法人で構成されています。
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