「第4回サンビーム研究発表会」 プログラム
日時 ： 2004年9月7日（火） 13：30～ 17:40
場所 ： 普及棟 大講堂(オーラル)、中講堂(ポスター)
総合司会：産業用専用ＢＬ共同体 合同部会長 松山秀昭
開会の辞 産業用専用ＢＬ共同体 運営委員長 大戸 時喜雄
(富士電機ｱﾄﾞﾊﾞﾝｽﾄﾃｸﾉﾛｼﾞｰ㈱ 物質・科学研究所 所長)
ご挨拶 (財)高輝度光科学研究センター 吉良 爽 理事長
利用推進協議会海外視察報告 (財)高輝度光科学研究センター 永田 正之 常務理事
研究発表 座長：飯原順次
(14:05-14:25)電位制御下でのX線回折、XAFSによるPt触媒表面の構造と電子状態
日本電気（株） 今井 英人
(14:25-14:45)XAFSおよびXRDによるCeO2-ZrO2助触媒の熱劣化挙動の解析
（株）豊田中央研究所 長井康貴
(14:45-15:05)窒素添加量変化によるHf系high-k膜構造変化のXAFSによる解析 （株）東芝 竹村モモ子
(15:05-15:15)休憩
座長：竹村モモ子
(15:15-15:35)XAFSと第一原理計算による新規デバイス用材料評価 （株）日立製作所 与名本欣樹
(15:35-15:55)Hf系高誘導体薄膜のXAFSによる局所構造解析 三菱電機（株） 上原 康
(15:55-16:15)フレネルゾーンプレートX線像拡大法によるサブミクロン領域の半導体歪み解析
富士電機アドバンストテクノロジー（株） 田沼良平
(16:15-16:35)新しい微小角入射小角X線散乱技術によるNano-Clustering Silica膜の空孔構造評価
（株）富士通研究所 淡路直樹
(16:35-16:40)挨拶 産業用専用ＢＬ共同体 副運営委員長 石川正行
(㈱東芝 研究開発センター 次長)
(16:40-17:40)ポスターセッションコアタイム （会場：中講堂）
Ｓ１ グリコサーマル法で合成された脱硝触媒の局所構造解析 関西電力（株） 香川公司
Ｓ２ X線吸収分光法による微量元素の形態分析 （財）電力中央研究所 小林 誠
Ｓ３ リチウムイオン二次電池オリビン正極材料のXAFS法による状態分析 ソニーEMCS（株）工藤喜弘
Ｓ４ 二次電池及び燃料電池材料の構造解析 三洋電機（株） 三上 朗
Ｓ５ 光ファイバ中添加元素の局所構造解析 住友電気工業（株） 飯原順次
Ｓ６ 鋼板表面さび層を制御するためのSR利用研究 （株）コベルコ科研 稲葉雅之
Ｓ７ ｼﾝｸﾛﾄﾛﾝX線ﾄﾎﾟｸﾞﾗﾌｨによる4H-SiCｴﾋﾟﾀｷｼｬﾙ膜の評価 （財）電力中央研究所 鎌田功穂
Ｓ８ X線反射率測定によるゲート絶縁膜の構造解析 （株）東芝 大森廣文
Ｓ９ 青色蛍光体BAM中、Euの化学状態分析 （株）松下テクノリサーチ 尾崎伸司
Ｓ１０ 全電子収量法、転換電子収量法、蛍光法によるXAFS分析深さの評価 三洋電機（株）三上 朗
Ｓ１１ X線微小ビームを用いた微細Cuダマシン配線の結晶粒観察 （株）日立製作所 平井康晴
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(18:00-) 合同懇親会 （会費制） 会場：萌光館
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注記： サンビームは，大型放射光施設「SPring-8」のビームライン”BL16XU” と “BL16B2” を指します。
産業用専用ビームライン建設利用共同体は，上記13社・1法人で構成されています。